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GM1109型GaN内匹配单级功率放大器芯片，具有超宽带、高线性、高效率、增益平坦等特点。该芯片在漏极电压28V下可在30~1500MHz内提供5W的输出功率。该芯片主要用于综合终端射频前端、手持电台射频前端等领域。
GM1109下载（GM1109产品手册22.5.26.pdf）
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